RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
3.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
6.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
3.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
865
3007
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link