RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
48
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2852
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link