RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
48
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2452
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX16 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link