RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
51
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
9.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
51
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2314
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link