RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
48
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1955
2190
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link