RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3090
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link