RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2732
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link