RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
3628
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link