RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
1774
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link