RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2462
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link