RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
71
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
71
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
1650
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link