RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2511
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link