RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
65
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
65
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1921
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link