RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3711
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link