RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3017
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link