RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2936
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link