RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2829
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link