RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
3224
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link