RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
52
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2236
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link