RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
1774
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link