RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2434
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link