RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2553
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link