RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3606
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link