RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
4051
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link