RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
3331
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link