RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2833
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link