RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
60
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
60
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2511
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link