RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
43
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2609
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link