RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2353
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link