RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3019
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link