RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2528
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link