RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
63
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
63
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1863
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link