RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3559
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link