RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2912
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link