RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2780
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link