RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3325
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link