RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2971
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link