RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3399
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link