RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
4421
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link