RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3631
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link