RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2987
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link