RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
76
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1859
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link