RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2395
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link