RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2447
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link