RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
1767
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link