RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2773
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link