RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3419
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link