RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3419
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link