RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2264
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link