RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
54
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
2176
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link