RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1406
3277
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link